RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
66
Autour de 58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
66
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1820
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link