A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

Punteggio complessivo
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Punteggio complessivo
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takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    46 left arrow 60
    Intorno 23% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,061.2 left arrow 1,221.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 5300
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 60
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,937.3 left arrow 2,347.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,061.2 left arrow 1,221.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    759 left arrow 421
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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