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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Jinyu 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Jinyu 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Jinyu 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Jinyu 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
69
Rund um -229% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Jinyu 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3209
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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