Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Punteggio complessivo
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Punteggio complessivo
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    22 left arrow 26
    Intorno 15% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.6 left arrow 17.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    16.2 left arrow 12.7
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    22 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    17.7 left arrow 18.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.7 left arrow 16.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3075 left arrow 3756
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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