RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3933
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link