Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    42 left arrow 45
    Около -7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.2 left arrow 11.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.4 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 42
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.9 left arrow 13.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 9.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2077 left arrow 2326
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения