RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
45
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
45
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2326
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link