Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Gesamtnote
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Unterschiede

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    42 left arrow 45
    Rund um -7% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 11.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 8.1
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    45 left arrow 42
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.9 left arrow 13.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 9.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2077 left arrow 2326
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RAM 1
RAM 2

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