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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
45
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
42
Velocità di lettura, GB/s
11.9
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2326
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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