RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
83
Intorno 53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
83
Velocità di lettura, GB/s
14.7
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
1774
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Confronto tra le RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link