Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Punteggio complessivo
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 31
    Intorno 19% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.1 left arrow 15.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.6 left arrow 10.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.1 left arrow 15.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 10.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2764 left arrow 2837
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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