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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2837
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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