RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
57
Autour de 61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
57
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.7
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
2170
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link