RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сравнить
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB против A-DATA Technology 11137401 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology 11137401 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
40
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
14.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
40
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2207
1921
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link