RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сравнить
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB против A-DATA Technology 11137401 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology 11137401 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
40
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
14.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
40
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2207
1921
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link