Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB

Note globale
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Note globale
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 18.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,168.2 left arrow 15.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    29 left arrow 60
    Autour de -107% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 5300
    Autour de 3.62 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    60 left arrow 29
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,595.2 left arrow 18.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,168.2 left arrow 15.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    941 left arrow 3784
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons