Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Note globale
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

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Note globale
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Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,168.2 left arrow 1,850.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    55 left arrow 60
    Autour de -9% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    60 left arrow 55
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,595.2 left arrow 4,102.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,168.2 left arrow 1,850.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    941 left arrow 634
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons