Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

总分
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

总分
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Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,168.2 left arrow 1,850.1
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    55 left arrow 60
    左右 -9% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    60 left arrow 55
  • 读取速度,GB/s
    4,595.2 left arrow 4,102.0
  • 写入速度,GB/s
    2,168.2 left arrow 1,850.1
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    941 left arrow 634
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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