Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,168.2 left arrow 1,850.1
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    55 left arrow 60
    Около -9% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    60 left arrow 55
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,595.2 left arrow 4,102.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,168.2 left arrow 1,850.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 5300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    941 left arrow 634
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения