RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
1,850.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
55
60
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
60
55
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
4,102.0
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
1,850.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
5300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
634
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link