Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,168.2 left arrow 1,850.1
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    55 left arrow 60
    Intorno -9% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    60 left arrow 55
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,595.2 left arrow 4,102.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,168.2 left arrow 1,850.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    941 left arrow 634
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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