RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
60
Por volta de -107% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
15.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3784
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link