RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3832
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link