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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
17.8
19.9
写入速度,GB/s
12.5
16.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3832
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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