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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
3200
左右 8 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
2,909.8
17.8
写入速度,GB/s
1,519.2
12.5
内存带宽,mbps
3200
25600
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3285
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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