RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3285
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link