Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    46 left arrow 60
    Около 23% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    732.9 left arrow 1,519.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 60
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,909.8 left arrow 1,882.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,519.2 left arrow 732.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow 3200
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    241 left arrow 218
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения