RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
60
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
732.9
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
46
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
1,882.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
732.9
Speicherbandbreite, mbps
3200
3200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
218
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link