Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo
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Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    46 left arrow 60
    Intorno 23% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    732.9 left arrow 1,519.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 60
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,909.8 left arrow 1,882.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,519.2 left arrow 732.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    3200 left arrow 3200
Other
  • Descrizione
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    241 left arrow 218
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