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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
60
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
732.9
1,519.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
46
60
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
1,882.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
732.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
3200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
218
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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