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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
60
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
732.9
1,519.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
46
60
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
1,882.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
732.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
3200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
218
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
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