RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
33
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
22
Velocità di lettura, GB/s
8.0
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2682
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link