RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
33
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2682
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link