RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
55
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,810.5
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
5300
3200
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
46
55
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
4,801.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
1,810.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
5300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
829
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link