Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral
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Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    46 left arrow 60
    Por volta de 23% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    732.9 left arrow 1,519.2
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    46 left arrow 60
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,909.8 left arrow 1,882.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,519.2 left arrow 732.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    3200 left arrow 3200
Other
  • Descrição
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    241 left arrow 218
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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