RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
49
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3663
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link