RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2732
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link