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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2732
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
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