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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
13.3
17.9
写入速度,GB/s
8.8
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
3514
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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