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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
13.3
17.9
写入速度,GB/s
8.8
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
3514
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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