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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
16.9
17.9
写入速度,GB/s
12.0
14.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3514
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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