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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
16.9
17.9
写入速度,GB/s
12.0
14.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3514
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
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