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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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规格
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需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
37
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
19
读取速度,GB/s
13.9
19.8
写入速度,GB/s
8.6
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3370
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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