RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
37
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
19.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3370
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link