RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
37
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3370
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link