RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3055
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link