RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3672
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link