RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
72
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.9
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
6.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
1499
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link