RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3672
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link