RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
94
Rund um -213% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2234
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link