RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
94
Rund um -154% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2591
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link