RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
94
Rund um -236% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
6.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2312
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link