RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
94
Rund um -176% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2732
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link