RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
94
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
34
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2732
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link