RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
94
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
10.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2490
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link