RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
76
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
1859
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link