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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

总分
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

总分
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    63 left arrow 76
    左右 17% 更低的延时
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB 需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 76
  • 读取速度，GB/s
    8.1 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 7.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1945 left arrow 1859

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较

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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
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内存RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9905624-019.A00G 8GB
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内存RAM
Mushkin 996902 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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内存RAM
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